氫氣原位質(zhì)量法?是一種利用化學(xué)反應(yīng)去除特定干擾的分析方法，特別適用于ICP-MS（電感耦合等離子體質(zhì)譜儀）分析中的復(fù)雜樣品。這種方法通過在反應(yīng)池中引入氫氣（H2）和氧氣（O2）等反應(yīng)氣，使得分析物或干擾物在反應(yīng)池中與反應(yīng)氣發(fā)生反應(yīng)，生成一個新的質(zhì)量數(shù)的產(chǎn)物離子。通過這種質(zhì)量轉(zhuǎn)移或原位質(zhì)量的方法，可以避開原質(zhì)量數(shù)的干擾，從而提高分析的準確性和靈敏度。例如，在ICP-MS分析中，通過這種方法可以解決一些分析難題，如去除干擾元素對目標元素的干擾，從而獲得更準確的元素分析結(jié)果?。

?氫氣原位質(zhì)量法?的應(yīng)用不只限于ICP-MS分析，還在其他領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。例如，在提高氮化鋁晶體質(zhì)量的方法中，氫氣原位刻蝕技術(shù)被用來在MOCVD設(shè)備中進行高溫原位刻蝕，通過形成密集的孔洞層并促進位錯的湮滅，提高外延層的晶體質(zhì)量。這種方法通過高溫原位刻蝕技術(shù)，在第1次高溫外延層和第二次高溫外延層之間形成密集的孔洞層，通過提升側(cè)向生長速率使孔洞逐漸合并，降低外延層中的位錯密度，從而提高晶體質(zhì)量?。

半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域

在半導(dǎo)體行業(yè)中，每個工藝流程中引入的雜質(zhì)污染，都有可能造成半導(dǎo)體器件缺陷。半導(dǎo)體器件的整個制造過程中會用到多種化學(xué)品，例如過氧化氫（H2O2）、鹽酸（HCl）、硫酸（H2SO4）等，進行清洗和蝕刻。

過氧化氫 ：作為強氧化劑，可用于清洗硅片、去除光刻

硝酸和氫氟酸混合物，混合物用于蝕刻單晶硅和多晶硅硫酸與過氧化氫的混合物可用于晶圓加工過程的清洗鹽酸用于去除硅片表面的有機和金屬殘留等雜質(zhì)

隨著半導(dǎo)體器件性能的持續(xù)提高，對雜質(zhì)的控制要求也更加嚴格，所用化學(xué)品中的痕量的雜質(zhì)會影響最終產(chǎn)品的性能和產(chǎn)量。國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會 (SEMI) 發(fā)布了有關(guān)高純試劑性能指標的標準, 規(guī)定絕大多數(shù)雜質(zhì)元素的含量不超過 10 ppt。

所以，制造半導(dǎo)體器件時，需要對清洗和蝕刻硅片過程中使用的化學(xué)品中的痕量污染物進行常規(guī)監(jiān)測，必須盡可能地將痕量污染控制在minimum濃度，ICP-MS 就是普遍采用的一種監(jiān)測工具。